是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.0205 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256E-90SI | ATMEL |
获取价格 |
256 (32K x 8) High-speed Parallel EEPROM |
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AT28HC256E-90SU | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-013, SOIC-28 |
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AT28HC256E-90TC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256E-90TI | ATMEL |
获取价格 |
256 (32K x 8) High-speed Parallel EEPROM |
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AT28HC256E-90TU-T | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28 |
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AT28HC256E-90UC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28HC256E-90UI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |
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AT28HC256E-90UM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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AT28HC256E-90UM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 90NS 28CPGA |
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AT28HC256F | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed CMOS E2PROM |
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