是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | 10K OR 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SELF-TIMED BYTE WRITE CYCLE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
切换位: | NO | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C64-25JIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28C64-25JJ | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | |
AT28C64-25JJT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28C64-25JL | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | |
AT28C64-25JLT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28C64-25LC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C64-25LI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C64-25LM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C64-25LM/883 | ATMEL |
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EEPROM | |
AT28C64-25PC | ATMEL |
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64K 8K x 8 CMOS E2PROM |