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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | PGA, PGA28,5X6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.22 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 250 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-CPGA-P28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 16.51 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | PGA | 封装等效代码： | PGA28,5X6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C | 座面最大高度： | 4.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.0003 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 宽度： | 13.97 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C256E-25UM/883-815 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 250NS 28PIN |
|
| AT28C256E-25WC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 250ns, Parallel, CMOS |
|
| AT28C256E-30DM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-30FM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-30LM/883 | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32 |
|
| AT28C256E-30UM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-35DM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-35FM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-35LM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256E-35UM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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