Datasheet > 存储 > EEPROM> AT28C040-20BISL703

AT28C040-20BISL703

更新时间： 2024-09-29 22:56:39

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路异步传输模式 ATM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM

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AT28C040-20BISL703 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	40.64 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	256 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.06 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

AT28C040-20BISL703 数据手册

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Features

• Read Access Time - 200 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 256 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Time

– Page Write Cycle Time - 10 ms Maximum

– 1 to 256 Byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

– 80 mA Active Current

• Hardware and Software Data Protection

• DATA Polling for End of Write Detection

• High Reliability CMOS Technology

– Endurance: 10,000 Cycles

– Data Retention: 10 Years

• Single 5V ± 10% Supply

4-Megabit

(512K x 8)

Paged E²PROM

• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout

AT28C040

Description

The AT28C040 is a high-performance electrically erasable and programmable read

only memory (E²PROM). Its 4 megabits of memory is organized as 524,288 words by

8 bits. Manufactured with Atmel's advanced nonvolatile CMOS technology, the device

offers access times to 200 ns with power dissipation of just 440 mW.

(continued)

Pin Configurations

Pin Name

A0 - A18

Function

Addresses

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Data Inputs/Outputs

No Connect

I/O0 - I/O7

AT28C040 4-

Megabit (512K x

8) Paged

E²PROM

SIDE BRAZE,

FLATPACK

Top View

LCC

Top View

Rev. 0542B–04/98

12 3 4 5 6 7...12

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