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AT28BV64B-25JC

更新时间： 2024-11-27 22:53:59
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 247K
描述
64K (8K x 8) Battery-Voltage⑩ Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection

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AT28BV64B-25JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.88最长访问时间：250 ns
其他特性：100K ENDURANCE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS命令用户界面：NO
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：10
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms

AT28BV64B-25JC 数据手册

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Features  
• Single 2.7V to 3.6V Supply  
• Hardware and Software Data Protection  
• Low Power Dissipation  
– 15 mA Active Current  
– 20 µA CMOS Standby Current  
• Fast Read Access Time - 200 ns  
• Automatic Page Write Operation  
– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes  
– Internal Control Timer  
• Fast Write Cycle Times  
64K (8K x 8)  
– Page Write Cycle Time: 10 ms Maximum  
– 1 to 64 Byte Page Write Operation  
• DATA Polling for End of Write Detection  
• High-reliability CMOS Technology  
– Endurance: 100,000 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
• JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
• Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Battery-Voltage™  
Parallel EEPROM  
with Page Write  
and Software  
Description  
Data Protection  
The AT28BV64B is a high-performance electrically erasable programmable read only  
memory (EEPROM). Its 64K of memory is organized as 8,192 words by 8 bits. Manu-  
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers  
access times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW. When the device is  
deselected, the CMOS standby current is less than 20 µA.  
AT28BV64B  
(continued)  
Pin Configurations  
PDIP, SOIC  
Top View  
Pin Name  
A0 - A12  
CE  
Function  
Addresses  
NC  
A12  
A7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28 VCC  
27 WE  
26 NC  
25 A8  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Data Inputs/Outputs  
No Connect  
A6  
OE  
A5  
24 A9  
A4  
23 A11  
22 OE  
21 A10  
20 CE  
19 I/O7  
18 I/O6  
17 I/O5  
16 I/O4  
15 I/O3  
A3  
WE  
A2  
A1  
I/O0 - I/O7  
NC  
3-Volt, 64K  
A0 10  
I/O0 11  
I/O1 12  
I/O2 13  
GND 14  
E2PROM with  
Data Protection  
DC  
Don’t Connect  
PLCC  
Top View  
TSOP  
Top View  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
5
6
7
8
9
29 A8  
28 A9  
27 A11  
26 NC  
25 OE  
24 A10  
23 CE  
22 I/O7  
21 I/O6  
OE  
A11  
A9  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CE  
2
3
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A8  
4
NC  
WE  
VCC  
NC  
A12  
A7  
5
A1 10  
A0 11  
6
7
NC 12  
I/O0 13  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
A5  
A4  
A1  
Rev. 0299F–05/28/99  
A3  
A2  
Note:  
PLCC package pins 1 and 17  
are DON’T CONNECT.  
1234567...12

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AT28BV64B-25JC 替代型号

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