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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.07 | 最长访问时间： | 200 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.25 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP28,.5 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.79 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | OTP ROMs | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 8.74 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT27C512R-20RCT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-20RI | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT27C512R-20RI | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
|
| AT27C512R-20RIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT27C512R20TC | MICROCHIP |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
|
| AT27C512R-20TI | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-25DC | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| AT27C512R-25DI | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| AT27C512R-25DM | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| AT27C512R-25DM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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