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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.38 |
| 最长访问时间： | 200 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 36.95 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.59 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT27C512R-20RC | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-20RCT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-20RI | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
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| AT27C512R-20RI | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
|
| AT27C512R-20RIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT27C512R20TC | MICROCHIP |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-20TI | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |
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| AT27C512R-25DC | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| AT27C512R-25DI | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| AT27C512R-25DM | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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