是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | WQCCN, LCC32,.45X.55 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.7 |
最长访问时间: | 200 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | WQCCN | 封装等效代码: | LCC32,.45X.55 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.92 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT27C512R-20PC | MICROCHIP |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDIP28 | |
AT27C512R-20PC | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
AT27C512R-20PI | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
AT27C512R-20RC | MICROCHIP |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 | |
AT27C512R-20RCT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 | |
AT27C512R-20RI | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT27C512R-20RI | MICROCHIP |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 | |
AT27C512R-20RIT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT27C512R20TC | MICROCHIP |
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UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 | |
AT27C512R-20TI | MICROCHIP |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 200ns, CMOS, PDSO28 |