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AT27C512R-20DM/883

更新时间: 2024-09-30 20:01:27
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 443K
描述
UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28

AT27C512R-20DM/883 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.29
Is Samacsys:N最长访问时间:200 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:37.25 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:WDIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE, WINDOW并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.72 mm最大待机电流:0.0001 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

AT27C512R-20DM/883 数据手册

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