是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSSOP | 包装说明: | TSSOP, TSSOP20,.25 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | DATA RETENTION > 100 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 2.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 6.5 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP20,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | SERIAL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
串行总线类型: | SPI | 最大待机电流: | 5e-7 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 4.4 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT25640T2-10TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDSO20, 0.170 INCH, TSSOP-20 | |
AT259 | ETC |
获取价格 |
Analog IC | |
AT-259 | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator DC - 2 GHz | |
AT-259_1 | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator 12 dB, DC-2.0 GHz | |
AT-259PIN | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator DC - 2 GHz | |
AT-259RTR | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator DC - 2 GHz | |
AT-259SMB | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator 12 dB, DC - 2.0 GHz | |
AT-259TR | TE |
获取价格 |
Voltage Variable Absorptive Attenuator DC - 2 GHz | |
AT25BCM512B | ETC |
获取价格 |
512-Kilobit 2.7-Volt Minimum SPI Serial Flash Memory | |
AT25BCM512B_12 | ETC |
获取价格 |
512-Kilobit 2.7-volt Minimum SPI Serial Flash Memory |