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AT25512N-SH-T

更新时间： 2024-09-15 06:38:19

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SPI Serial EEPROM 512K (65,536 x 8)

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AT25512N-SH-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.150 INCH, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	7.75
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000003 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

AT25512N-SH-T 数据手册

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AT25512N-SH-T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AT25512N-SH-B	ATMEL	完全替代	SPI Serial EEPROM 512K (65,536 x 8)

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