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AT25512-TH-T-899

更新时间: 2024-11-24 15:28:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 1266K
描述
EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8

AT25512-TH-T-899 技术参数

生命周期:Active包装说明:TSSOP,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.77
最大时钟频率 (fCLK):5 MHzJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.4 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:SPI最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:3 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
Base Number Matches:1

AT25512-TH-T-899 数据手册

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AT25512  
SPI Serial EEPROM 512 Kbits (65,536 x 8)  
Features  
• Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible  
• Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1):  
– Data sheet describes mode 0 operation  
• Low-Voltage Operation:  
– 1.8V (VCC = 1.8V to 5.5V)  
• Industrial Temperature Range: -40°C to +85°C  
• 20 MHz Clock Rate (5V)  
• 128Byte Page Mode  
• Block Write Protection:  
– Protect 1/4, 1/2 or entire array  
• Write-Protect (WP) Pin and Write Disable Instructions for Both Hardware and Software Data  
Protection  
• Self-Timed Write Cycle within 5 ms Maximum  
• ESD Protection > 4,000V  
• High Reliability:  
– Endurance: 1,000,000 write cycles  
– Data retention: 100 years  
• Green (Lead-free/Halide-free/RoHS Compliant) Package Options  
• Die Sale Options: Wafer Form and Bumped Wafers  
Packages  
• 8-Lead SOIC, 8-Lead TSSOP and 8-Pad UDFN  
DS20006218A-page 1  
Datasheet  
© 2019 Microchip Technology Inc.  

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