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AT25512-TH-B

更新时间： 2024-11-05 06:38:19

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SPI Serial EEPROM 512K (65,536 x 8)

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AT25512-TH-B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	4.40 MM, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, MO-153AA, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.58
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	4.4 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

AT25512-TH-B 数据手册

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AT25512-TH-B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M95512-RDW6TP	STMICROELECTRONICS	功能相似	512Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock

与AT25512-TH-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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