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Datasheet > 存储 > EEPROM> AT24C16BD3-DH-T
AT24C16BD3-DH-T PDF预览

AT24C16BD3-DH-T

更新时间： 2024-11-17 06:38:19
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
27页 799K
描述
Two-wire Serial EEPROM

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AT24C16BD3-DH-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：VSON, SOLCC8,.08,16
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.B.1HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.68最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz
数据保留时间-最小值：100耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010MMMRJESD-30 代码：R-XDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：2.2 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VSON封装等效代码：SOLCC8,.08,16
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.4 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.4 mm端子位置：DUAL
宽度：1.8 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

AT24C16BD3-DH-T 数据手册

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1. Features  
• Low-voltage and Standard-voltage Operation  
– 1.8 (VCC = 1.8V to 5.5V)  
• Internally Organized 2048 x 8 (16K)  
• Two-wire Serial Interface  
• Schmitt Trigger, Filtered Inputs for Noise Suppression  
• Bidirectional Data Transfer Protocol  
• 1 MHz (5V, 2.5V), 400 kHz (1.8V) Compatibility  
• Write Protect Pin for Hardware Data Protection  
• 16-byte Page (16K) Write Modes  
Two-wire  
• Partial Page Writes Allowed  
Serial EEPROM  
16K (2048 x 8)  
• Self-timed Write Cycle (5 ms max)  
• High-reliability  
– Endurance: 1 Million Write Cycles  
– Data Retention: 100 Years  
• 8-lead PDIP, 8-lead JEDEC SOIC, 8-lead Ultra-Thin Mini-MAP (MLP 2x3), 5-lead SOT23,  
8-lead Ultra Lead Frame Land Grid Array (ULA), 8-lead TSSOP and 8-ball dBGA2  
Packages  
AT24C16B  
• Lead-free/Halogen-free  
• Die Sales: Wafer Form, Tape and Reel, and Bumped Wafers  
2. Description  
The AT24C16B provides 16384 bits of serial electrically erasable and programmable  
read-only memory (EEPROM) organized as 2048 words of 8 bits each. The device is  
optimized for use in many industrial and commercial applications where low-power  
and low-voltage operation are essential. The AT24C16B is available in space-saving  
8-lead PDIP, 8-lead JEDEC SOIC, 8-lead Ultra Thin Mini-MAP (MLP 2x3), 5-lead  
SOT23, 8-lead Ultra Lead Frame Land Grid Array (ULA), 8-lead TSSOP, and 8-ball  
dBGA2 packages and is accessed via a Two-wire serial interface. In addition, the  
AT24C16B is available in 1.8V (1.8V to 5.5V) version.  
Table 2-1.  
Pin Name  
NC  
Pin Configuration  
Function  
8-lead Ultra Thin  
Mini-MAP (MLP 2x3)  
8-ball dBGA2  
No Connect  
VCC 8  
WP 7  
1 NC  
2 NC  
3 NC  
4 GND  
8
7
6
5
1
2
3
4
NC  
VCC  
WP  
NC  
SDA  
Serial Data  
SCL 6  
SDA 5  
NC  
SCL  
SDA  
SCL  
Serial Clock Input  
Write Protect  
Ground  
GND  
Bottom View  
Bottom View  
WP  
8-lead TSSOP  
8-lead SOIC  
GND  
NC  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
WP  
NC  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
WP  
VCC  
Power Supply  
NC  
SCL  
SDA  
NC  
SCL  
SDA  
8-lead Ultra Lead Frame  
Land Grid Array (ULA)  
GND  
GND  
VCC 8  
WP 7  
1 NC  
2 NC  
3 NC  
4 GND  
5-lead SOT23  
8-lead PDIP  
8
7
6
5
VCC  
NC  
1
2
3
4
WP  
SCL  
GND  
SDA  
1
2
3
5
SCL 6  
SDA 5  
WP  
NC  
NC  
SCL  
SDA  
VCC  
4
GND  
Bottom View  
5175E–SEEPR–3/09  
1234567...27

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