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AT200N06S

更新时间： 2024-06-27 12:08:48

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TO-220AB

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AT200N06S 数据手册

AT200N06S

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

2.9mΩ@10V

3.6mΩ@4.5V

I_D

60V

200A

Feature

Application



Split Gate Trench MOSFET technology



Consumer electronic power supply

Isolated DC-DC Converters

Motor control

Excellent package for heat dissipation

High density cell design for low R_DS(ON)

Package

Circuit diagram

TO-220AB

Marking

T200N06

XXXXX

Document ID

AS-3150416

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2023/01/16

Revision

Page.

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