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AT17N10S-Q1

更新时间： 2024-10-28 18:07:07

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TO-220AB

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AT17N10S-Q1 数据手册

AT17N10S-Q1

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

70mΩ@10V

85mΩ@4.5V

I_D

100V

17A

Feature

Application

High density cell design for ultra low Rdson

Power switching application

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high E_AS

Excellent package for good heat dissipation

Suffix "-Q1" for AEC-Q101

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Package

Circuit diagram

TO-220AB

Marking

T17N10

XXXXX

Document ID

AS-1150160

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2012/05/16

Revision

Page.

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