是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.8 |
其他特性: | IT CAN OPERATES ON 4.75-5.25 RANGE SUPPLY VOLTAGE ALSO | 最大时钟频率 (fCLK): | 10 MHz |
数据保留时间-最小值: | 90 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 9.271 mm | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | CONFIGURATION MEMORY | 内存宽度: | 1 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.334 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AT17LV010-10PU | ATMEL |
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