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AT17LV010-10DP-SV

更新时间: 2024-10-27 06:38:15
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爱特美尔 - ATMEL 存储内存集成电路异步传输模式ATM可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
15页 138K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1 MEGABIT SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON

AT17LV010-10DP-SV 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DFP
包装说明:DFP, FL28,.4针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.49
最大时钟频率 (fCLK):10 MHzJESD-30 代码:R-XDFP-F28
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CONFIGURATION MEMORY内存宽度:1
功能数量:1端子数量:28
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1MX1
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装等效代码:FL28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度:3.3 mm子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.01 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1

AT17LV010-10DP-SV 数据手册

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PS-AT17LV010  
revision A  
®
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1 MEGABIT  
SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON  
Revision  
Written by  
Approved by  
Date  
A
A. GENTIL / S. JAMES  
C. FERRE  
02/12/05  

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