是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SON, SOLCC8,.25 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.8 | 其他特性: | IT CAN OPERATES ON 4.75-5.25 RANGE SUPPLY VOLTAGE ALSO |
最大时钟频率 (fCLK): | 15 MHz | JESD-30 代码: | S-XDSO-N8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 5.99 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | CONFIGURATION MEMORY |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | SON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.14 mm |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 5.99 mm |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AT17LV002-10CU | MICROCHIP |
功能相似 |
IC SRL CONFIG EEPROM 2M 8-LAP | |
AT17LV010-10CU | ATMEL |
功能相似 |
FPGA Configuration EEPROM Memory |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT17LV010-10CI | ATMEL |
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FPGA Configuration EEPROM Memory | |
AT17LV010-10CJ | ATMEL |
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Configuration Memory, 1MX1, Serial, CMOS, 6 X 6 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 | |
AT17LV010-10CL | ATMEL |
获取价格 |
Configuration Memory, 1MX1, Serial, CMOS, 6 X 6 MM, 1.04 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, LAP-8 | |
AT17LV010-10CU | ATMEL |
获取价格 |
FPGA Configuration EEPROM Memory | |
AT17LV010-10DP | ATMEL |
获取价格 |
Space FPGA Configuration EEPROM | |
AT17LV010-10DP_05 | ATMEL |
获取价格 |
Space FPGA Configuration EEPROM | |
AT17LV010-10DP-E | ATMEL |
获取价格 |
Space FPGA Configuration EEPROM | |
AT17LV010-10DP-M | ATMEL |
获取价格 |
Space FPGA Configuration EEPROM | |
AT17LV010-10DP-MQ | ATMEL |
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Space FPGA Configuration EEPROM | |
AT17LV010-10DP-SV | ATMEL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1 MEGABIT SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON |