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AT12015-21

更新时间： 2024-01-26 13:03:21

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ASI		二极管变容二极管
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1页	25K
描述
SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

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AT12015-21 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-XRMW-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	14.29%
最小二极管电容比：	8.5	标称二极管电容：	14 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	O-XRMW-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	MICROWAVE
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	300
最大重复峰值反向电压：	120 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	变容二极管分类：	ABRUPT
Base Number Matches：	1

AT12015-21 数据手册

AT12015-21

SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

The AT12015-21 is Designed for High

Performance RF and Microwave

Applications Requiring an Abrupt

Variable Capacitance Characteristic.

PACKAGE STYLE 21

FEATURES INCLUDE:

• High Tuning Ratio, ∆C_T= 8.5 MIN.

• High Quality Factor, Q = 300 MIN.

• Hermetic Pkg,

C_P= .20 pF

L_S= .42 nH

MAXIMUM RATINGS

200 mA

I_F

V_R

120 V

1.75W @ T_C25 ^OC

-55 ^OC to +150 ^OC

70 ^OC/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

V_R

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_R= 10 µA

I_F= 1 mA

V_R= 100 V

120

V_F

I_R

1.0

100

C_T

∆C_T

V_R= 4 V

C_T0/ C_T120

V_R= 4 V

I_F= 10 mA

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

8.5

300

---

Ω

R_S

f = 2400 MHz

0.9

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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