Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> AT-42035

AT-42035

更新时间： 2024-09-15 06:38:23

品牌	Logo	应用领域
安华高科 - AVAGO		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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5页	134K
描述
Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

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AT-42035 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MICROWAVE, X-CXMW-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	X-CXMW-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

AT-42035 数据手册

AT-42035

Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

Data Sheet

Description

Features

ꢀ

•

HighꢀOutputꢀPower:ꢀ

AvagoTechnologies' AT-42035isageneralpurposeNPNbipo-

lartransistorthatoﬀersexcellenthighfrequencyperformance.

The AT-42035 is housed in a cost eﬀective surface mount 100

mil micro-X package. The 4 micron emitter-to-emitter pitch

enables this transistor to be used in many diﬀerent functions.

The20emitterﬁngerinterdigitatedgeometryyieldsamedium

sizedtransistorwithimpedancesthatareeasytomatchforlow

noiseandmediumpowerapplications.Thisdeviceisdesigned

for use in low noise, wideband ampliﬁer, mixer and oscilla-

tor applications in the VHF, UHF, and microwave frequencies.

An optimum noise match near 50 Ω up to 1 GHz, makes this

device easy to use as a low noise ampliﬁer.

21.0 dBm Typical P_{1 dB}at 2.0 GHz

20.5 dBm Typical P_{1 dB}at 4.0 GHz

•ꢀ HighꢀGainꢀatꢀ1ꢀdBꢀCompression:ꢀ

14.0 dB Typical

_{1 dB}at 2.0 GHz

9.5 dB Typical

G_{1 dB}at 4.0 GHz

•ꢀ LowꢀNoiseꢀFigure:ꢀ

1.9 dB Typical NF_Oat 2.0 GHz

•ꢀ HighꢀGain-BandwidthꢀProduct:ꢀ8.0 GHz Typical f

•ꢀ CostꢀEﬀectiveꢀCeramicꢀMicrostripꢀPackage

35ꢀmicro-XꢀPackage

The AT-42035 bipolar transistor is fabricated using Avago’s

10 GHz f Self-Aligned-Transistor (SAT) process. The die is

nitride passivated for surface protection. Excellent device

uniformity, performance and reliability are produced by the

useofion-implantation, self-alignmenttechniques, andgold

metalization in the fabrication of this device.

12 3 4 5

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与AT-42035相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT-42035-BLK	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42035G	AVAGO	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42035-TR1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42036	AGILENT	获取价格	Agilent AT-42036 Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42036-BLK	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42036-BLKG	AVAGO	获取价格	C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CERAMIC, 36 MICRO-X-4
AT-42036-TR1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT42070	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42070	AGILENT	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42070	AVAGO	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

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