Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> AT-42010

AT-42010

更新时间： 2024-09-14 22:36:23

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安捷伦 - AGILENT		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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5页	54K
描述
Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

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AT-42010 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MICROWAVE, S-CQMW-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW NOISE	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	S-CQMW-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	MICROWAVE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz	Base Number Matches：	1

AT-42010 数据手册

Up to 6 GHz Medium Power

Silicon Bipolar Transistor

Technical Data

AT-42010

functions. The 20 emitter finger

Features

100 mil Package

interdigitated geometry yields a

medium sized transistor with

impedances that are easy to match

for low noise and medium power

applications. This device is

designed for use in low noise,

wideband amplifier, mixer and

oscillator applications in the VHF,

UHF, and microwave frequencies.

An optimum noise match near

50 Ω up to 1 GHz , makes this

device easy to use as a low noise

amplifier.

• High Output Power:

12.0dBmTypicalP_1dBat2.0 GHz

20.5dBmTypicalP_1dBat4.0 GHz

• High Gain at

1 dB Compression:

14.0dBTypical

9.5dBTypical

_1dBat2.0 GHz

G_1dBat4.0 GHz

• Low Noise Figure:

1.9dBTypicalNF_Oat2.0 GHz

• High Gain-Bandwidth

Product: 8.0 GHz Typical f

• Hermetic Gold-ceramic

Microstrip Package

The AT-42010 bipolar transistor is

fabricated using Hewlett-Packard’s

10 GHz f_TSelf-Aligned-Transistor

(SAT) process. The die is nitride

passivated for surface protection.

Excellent device uniformity,

performance and reliability are

produced by the use of ion-

implantation, self-alignment

Description

Hewlett-Packard’s AT-42010 is a

general purpose NPN bipolar

transistor that offers excellent

high frequency performance. The

AT-42010 is housed in a hermetic,

high reliability 100 mil ceramic

package. The 4 micron emitter-to-

emitter pitch enables this transis-

tor to be used in many different

techniques, and gold metalization

in the fabrication of this device.

5965-8910E

4-154

12 3 4 5

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与AT-42010相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT-42010G	AGILENT	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, C Band, Silicon, NPN, HERMETIC
AT42035	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42035	AGILENT	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42035	AVAGO	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42035-BLK	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42035G	AVAGO	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42035-TR1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42036	AGILENT	获取价格	Agilent AT-42036 Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT-42036-BLK	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 80MA I(C) \| MICRO-X
AT-42036-BLKG	AVAGO	获取价格	C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CERAMIC, 36 MICRO-X-4

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