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ASTD5060-860

更新时间： 2024-12-01 15:28:03

品牌	Logo	应用领域
ASI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	33K
描述
Tunnel Diode, 18GHz Max, 0.11V V(F) @Ipeak, 0.6mA Ipeak, Silicon, 860, 2 PIN

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ASTD5060-860 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	S-XDMW-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.56	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	7 Ω
二极管类型：	TUNNEL DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.11 V
JESD-30 代码：	S-XDMW-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大工作频率：	18 GHz
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	MICROWAVE	最大峰点电流：
最大功率耗散：	0.05 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Special Purpose Diodes	表面贴装：	YES
技术：	TUNNEL	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

ASTD5060-860 数据手册

ASTD SERIES

PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE

DESCRIPTION:

The ASTD Series of Tunnel Diodes

are Optimized for Operation as Back

Diode Detectors in Applications up

to 18 GHz.

PACKAGE STYLE 51

FEATURES INCLUDE:

• Excellent Temperature Stability

• Fast Rise / Fall Times

• Available in Die Form

MAXIMUM RATINGS

10 mA

I_R

3 ERG spike

P_DISS

T_J

50 mW @ T_A= +60 ^OC

-65 to +110 ^OC

-65 to +125 ^OC

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^OC

SYMBOL

I_P

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

ASTD 1020

ASTD 2030

ASTD 3040

ASTD 4050

ASTD 5060

100

200

300

400

500

200

300

400

500

600

µA

V_F

I_F= 3 mA

ASTD 1020

ASTD 2030

ASTD 3040

ASTD 4050

ASTD 5060

135

130

125

120

110

V_R

400

I_R= 500 µA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. B

1/3

12 3

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