生命周期: | Active | 包装说明: | S-XXMW-F2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.60 |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
最大二极管正向电阻: | 7 Ω | 二极管类型: | TUNNEL DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.135 V | JESD-30 代码: | S-XXMW-F2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大工作频率: | 18 GHz | 最高工作温度: | 110 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | MICROWAVE |
最大峰点电流: | 最大功率耗散: | 0.05 W | |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Microwave Special Purpose Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | TUNNEL |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | UNSPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ASTD-1020-860 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD1020-860 | ASI |
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Tunnel Diode, 18GHz Max, 0.135V V(F) @Ipeak, 0.2mA Ipeak, Silicon, 860, 2 PIN | |
ASTD-2030-51 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD-2030-820 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD2030-820 | ASI |
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Tunnel Diode, 18GHz Max, 0.13V V(F) @Ipeak, 0.3mA Ipeak, Silicon, 820, 2 PIN | |
ASTD-2030-860 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD-3040-51 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD3040-51 | ASI |
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Tunnel Diode, 18GHz Max, 0.125V V(F) @Ipeak, 0.4mA Ipeak, Silicon, 51, 2 PIN | |
ASTD-3040-820 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE | |
ASTD-3040-860 | ASI |
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PLANAR TUNNEL (BACK) DIODE |