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AST170D04D6L

更新时间： 2024-09-25 17:15:51

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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8页	888K
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AST170D04D6L 数据手册

AST170D04D6L

40V Dual N-Channel Power MOSFET

Features

Product Summary

Trench Power LV MOSFET technology

Excellent package for heat dissipation

High density cell design for low R

V DS

DS(ON)

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

mΩ

I ^D

Application

High current load applications

Load switching

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

NMOS

PDFN 3.3x3.3-8

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

V_DS

V_GS

±20

T_C=25℃

Drain Current

I_D

T_C=100℃

Pulsed Drain Current ^A

I_DM

Single Pulse Avalanche Energy ^B

Total Power Dissipation

E_AS

T_C=25℃

P_D

Thermal Resistance Junction-to-Ambient

Thermal Resistance Junction-to-Case

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

℃/ W

℃

R_θJC

3.0

T_J,T_STG

-55～+150

Jul 2022 Version 1.0

1/8

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