ASRD808D-TR

更新时间： 2024-11-18 03:19:31

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ASI		二极管阶跃恢复二极管光电二极管
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描述
SURFACE MOUNT STEP RECOVERY DIODE

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ASRD808D-TR 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	25 V
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
最小二极管电容：	0.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	STEP RECOVERY DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	25 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ASRD808D-TR 数据手册

ASRD 800 SERIES

SURFACE MOUNT STEP RECOVERY DIODE

DESCRIPTION:

The ASRD 800 Series of Step

Recovery Diodes are Designed for

Synthesiser and Sampler Applications

Requiring a High Performance to

Cost Ratio.

PACKAGE STYLE SOD- 323

FEATURES INCLUDE:

• Transition Time as Low as 70 pS

• Surface Mount SOD323 Package

MAXIMUM RATINGS

50 mA

I_F

V_R

^{UP TO RATED}V_BR

100 mW

P_DISS

T_J

-55 to +150 ^OC

1.25 ^OC /mW

T_STG

θ_JC

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^OC

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_R= 10 µA

ASRD 803

ASRD 806

ASRD 808

ASRD 814

ASRD 820

ASRD 830

C_J6

V_R= 6 V

f = 1 MHz

ASRD 803

ASRD 806

ASRD 808

ASRD 814

ASRD 820

ASRD 830

0.2

0.4

0.5

1.0

1.5

2.5

0.4

0.8

1.0

1.7

2.5

3.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/3

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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