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ASI85206

更新时间： 2024-11-15 19:44:35

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1页	14K
描述
Transistor

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ASI85206 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	12 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

ASI85206 数据手册

ASI 85206

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI 85206 is Designed for

Common Collector Oscillator

Applications up to 2.3 GHz.

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES INCLUDE:

• Direct Replacement for MSC85206

• Hermetic Flange Package

• Gold Metelization

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

DIM

inches / mm

MAXIMUM RATINGS

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

700 mA

I_C

.255 / 6.48

.132 / 3.35

40 V

V_CBO

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

.117 / 2.97

.110 / 2.79

.117 / 2.97

12 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

8.5 ^OC/W

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 5.0 V

3.5

BV_EBO

h_FE

I_C= 200 mA

I_C= 317 mA

200

7.5

---

V_CB= 28 V

V_CE= 21 V

f = 1.0 MHz

C_OB

2.0

P_OSC

F_O= 2.3 GHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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