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ASI10864

更新时间： 2024-02-27 05:38:34

品牌	Logo	应用领域
ASI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	14K
描述
RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

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技术参数
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ASI10864 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI10864 数据手册

2N6199

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

The ASI 2N6199 is Designed for VHF

Class C Power Amplifier Applications

up to 250 MHz.

.112x45°

FEATURES:

ØC

• P_G= 10 dB Typical at 25 W/175 MHz

• ∞ Load VSWR at Rated Conditions

• Omnigold™ Metallization System

#8-32 UNC-2A

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

4.0 A

65 V

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

40 W @ T_C= 25 °C

-55 °C to +200 °C

-55 °C to +150 °C

4.4 °C/W

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10864

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

4.0

2.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

P_OUT= 25 W

C_ob

V_CB= 28 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

P_G

8.5

η_c

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV.A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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