ASI10835

更新时间： 2024-11-13 22:47:55

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10835 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	2.6 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10835 数据手册

TPV595A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 BAL FLG

The TPV595A is Designed for Class

AB Push Pull, Common Emitter from

470 to 860 MHz Applications.

Collector - 2 places

.020 x 45°

Ø.130 NOM.

.050 x 45°

Emitter connected to flange

Base - 2 places

FEATURES:

· Gold Metalization

· Emitter Ballast Resistors

· Internal Input Matching

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.060 / 1.52

.125 / 3.18

MAXIMUM RATINGS

.055 / 1.40

.065 / 1.65

.243 / 6.17

.255 / 6.48

I_C

2 x 2.6 A

.630 / 16.00

.670 / 17.01

.092 / 2.34

V_CB

P_DISS

T_J

45 V

.555 / 14.10

.739 / 18.77

.315 / 8.00

.002 / 0.05

.565 / 14.35

.750 / 19.05

.327 / 8.31

.006 / 0.15

65 W @ T_C= 25 ^OC

-50 ^OC to +200 ^OC

2.5 ^OC/W

.055 / 1.40

.075 1.91

.065 / 1.65

.095 / 2.41

.190 / 4.83

.245 / 6.22

.257 / 6.53

T_STG

q_JC

Order Code: ASI10835

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CER

BV_CBO

I_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_C= 20 mA

V_CB= 20 V

I_E= 5 mA

R_BE= 51 W

5.0

BV_EBO

h_FE

3.0

V_CE= 20 V

I_C= 500 mA

C_OB

V_CB= 25 V

V_CE= 25 V

I_C= 2 x 900 mA

Sound = -7 dB

P_REF= 14 W

SB = -16 dB

P_G

8.5

9.5

F = 860 MHz

Vision = -8 dB

IMD₃

-47

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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