ASI10832

更新时间： 2024-11-13 22:47:55

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ASI		晶体小信号场效应晶体管放大器
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描述
N-CHANNEL SILICON FET DEPLETION MODE

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ASI10832 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.01 A	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10832 数据手册

BFW13

N-CHANNEL SILICON FET

DEPLETION MODE

DESCRIPTION:

The ASI BFW13 is Designed for Low

Noise Video Amplifier Applications.

PACKAGE STYLE TO- 72

MAXIMUM RATINGS

10 mA

5.0 mA

I_D

I_G

30 V

V_DS

V_DG

V_GS

P_tot

T_J

30 V

150 mW @ T_A= 110 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

590 ^OC/W

1 = SOURCE

3 = GATE

2 = DRAIN

4 = SHIELD

T_STG

θ_JA

Order code: ASI10832

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 10 V

100

1.5

1.0

1.2

I_GS

T_C= 150 ^OC

V_DS= 15 V

V_GS= 0 V

I_D= 50 µA

I_D= 500 pA

0.2

0.1

I_DSS

V_GS

V_(P)GS

1500

500

Iy_fsI

µS

_DS= 15 V

V_GS= 0 V

Iy_osI

Iy_fsI

I_D= 200 µA

f = 1.0 MHz

5.0

Iy_osI

5.0

0.8

C_iss

C_rs

V_DS= 15 V

500

V_n

I_D= 200 µA

BW = 0.6 to 100 Hz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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