ASI10830

更新时间： 2024-02-19 09:51:15

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描述
VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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ASI10830 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10830 数据手册

MRF172

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The ASI MRF172 is Designed for

wideband large-signal output and

driver stages in the 2.0-200 MHz

frequency range.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

FEATURES:

• P_G= 10 dB Min. at 150 MHz

• 30:1 Load VSWR Capability

• Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

9.0 A

65 V

I_D

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

±40 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

220 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.8 °C/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

T_STG

θ_JC

.240 / 6.10

ORDER CODE: ASI10830

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

BV_DSS

I_DS= 50 mA

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

µA

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

g_fs

V_GS= 0 V

5.0

1.0

5.0

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

I_D= 50 mA

I_D= 2.5 A

1.0

1.5

mho

200

110

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_DD= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

P_G

η_D

I_DQ= 50 mA

P_out= 80 W

f = 150 MHz

V_SWR= 30:1 AT ALL PHASE ANGLES

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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