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ASI10760

更新时间： 2024-11-18 18:46:03

品牌	Logo	应用领域
ASI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

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ASI10760 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	8 A
基于收集器的最大容量：	85 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI10760 数据手册

TPV375

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The TPV375 is a Common Emitter

Device Designed for Class A

PACKAGE STYLE .500 4L STUD

Television Band III Applications.

FEATURES INCLUDE:

· Gold Metalization

· Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

I_C

8 A

V_CB

P_DISS

T_J

65 V

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.5 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = EMITTER

T_STG

q_JC

3 = BASE

ORDER CODE: ASI10760

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CER

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

R_BE= 10 W

I_C= 1.0 A

120

---

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

P_out= 20 W

C_ob

---

G_PE

V_CE= 28 V

I_C= 2.5 A

VSWR = ¥ :1

I_C= 2.5 A

8.0

9.0

f = 225 MHz

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

V_CE= 28 V

P_ref=14 W

IMD₃

-55

f = 225 MHz

Vision = -8.0 dB

Snd. = -7.0 dB

SB = -16 dB

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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