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ASI10740

更新时间： 2024-11-17 22:06:47

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10740 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	20 A
基于收集器的最大容量：	400 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10740 数据手册

VLB100-12

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

The ASI VLB100-12 is Designed for

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

20 A

36 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.125 / 3.18

18 V

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

4.0 V

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

270 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.65 ^OC/W

.980 / 24.89

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10740

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 12.5 V

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BVCEO

BV_EBO

I_CES

---

h_FE

I_C= 5.0 A

C_OB

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

400

7.0

P_G

P_OUT= 100 W

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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