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ASI10737

更新时间： 2024-11-20 22:47:55

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10737 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	12 A
基于收集器的最大容量：	270 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10737 数据手册

VLB70-12F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

The ASI VLB70-12F is Designed for

.112 x 45°

Ø.125 NOM.

FULL R

FEATURES:

.125

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

I_C

12 A

36 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

DIM

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

18 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

3.5 V

183 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.05 ^OC/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10737

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 100 mA

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 15 V

V_CE= 5.0 V

3.5

BV_CES

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

---

h_FE

I_C= 5.0 A

C_OB

V_CB= 12.5 V

MHz

f = 1.0

270

G_P

V_CE= 12.5 V

P_OUT= 70 W

f = 50 MHz

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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