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ASI10735

更新时间： 2024-11-17 22:47:55

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10735 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	100 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10735 数据手册

VLB40-12F

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

The ASI VLB40-12F is Designed for

.112 x 45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

.125

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

5.0 A

36 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

18 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

4.0 V

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

70 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

2.5 ^OC/W

.240 / 6.10

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10735

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 12.5 V

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

5.0

---

h_FE

I_C= 5.0 A

200

C_OB

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

100

G_P

P_OUT= 40 W

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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