ASI10719

更新时间： 2024-11-17 22:47:55

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10719 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	20 A	基于收集器的最大容量：	390 pF
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10719 数据手册

VHB100-12

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI VHB100-12 is Designed for

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

FEATURES:

2x ØN

FULL R

· Omnigold™ Metalization System

.725/18,42

MAXIMUM RATINGS

20 A

36 V

I_C

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.150 / 3.43

.160 / 4.06

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

18 V

36 V

.125 / 3.18

4.0 V

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

270 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.65 ^OC/W

.120 / 3.05

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10719

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 12.5 V

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

---

h_FE

I_C= 5.0 A

C_OB

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

420

P_G

6.0

P_OUT= 100 W

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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