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ASI10715

更新时间： 2024-11-17 22:47:55

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10715 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
基于收集器的最大容量：	110 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

ASI10715 数据手册

VHB25-12S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

The ASI VHB25-12S is Designed for

.112x45°

FEATURES:

ØC

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC-2A

4.0 A

36 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches

inches / mm

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

18 V

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

4.0 V

65 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

3.5 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10715

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 15 mA

I_E= 5.0 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

5.0

---

h_FE

I_C= 250 mA

P_OUT= 25 W

C_OB

V_CB= 12.5 V

V_CE= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

110

P_G

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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