Datasheet > ASI10710

ASI10710

更新时间： 2024-01-28 19:47:30

品牌	Logo	应用领域
ASI		/
页数	文件大小	规格书
1页	23K
描述
VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ASI10710 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	125 V
最大漏极电流 (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI10710 数据手册

VFT300-50

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(D)

The VFT300-50 is Designed for

AM/FM Power Amplifier Applications up

to 250 MHz.

FULL R

(4X).060 R

.080x45°

.1925

FEATURES:

Source connected to flange

· P_G= 15 dB Typ. at 300W/ 175 MHz

· 5:1 Load VSWR Capability

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches

inches / mm

.220 / 5.59

.230 / 5.84

MAXIMUM RATINGS

.210 / 5.33

.125 / 3.18

I_D

40 A

125 V

.380 / 9.65

.580 / 14.73

.390 / 9.91

.620 / 15.75

V_DSS

V_GS

P_DISS

T_J

.435 / 11.05

1.090 / 27.69

1.335 / 33.91

.003 / 0.08

.060 / 1.52

.100 / 2.54

1.105 / 28.07

1.345 / 34.16

.007 / 0.18

.070 / 1.78

.115 / 2.92

.230 / 5.84

.407 / 10.34

.870 / 22.10

± 40 V

500 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.35 ^OC/W

.395 / 10.03

.850 / 21.59

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10710

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_DSS

I_DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_D= 50 mA

V_DS= 50 V

V_DS= 0 V

125

V_GS= 0 V

5.0

1.0

5.0

m A

I_GSS

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

V_GS(th)

g_fs

I_D= 100 mA

I_D= 5.0 A

1.0

3,000

C_iss

C_oss

350

250

V_DS= 50 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

C_rss

P_G

h _D

V_DD= 50 V

I_DQ= 500 mA

P_out= 300 W

f = 175 MHz

V_SWR= 5:1 AT ALL PHASE ANGLES

NO DEGRADATION IN OUTPUT POWER

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without ntoice.

REV. A

1/1

中文翻译

下载PDF

与ASI10710相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ASI10711	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
ASI10712	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
ASI10713	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
ASI10714	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
ASI10715	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
ASI10716	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格