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ASI10702

更新时间： 2024-02-15 08:39:45

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2页	27K
描述
VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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ASI10702 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10702 数据手册

VFT15-28

VHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The VFT15-28 is Designed for

General Purpose Class B Power

Amplifier Applications up to 175 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L FLG

.112 x 45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

· P_G= 14 dB Typ. at 15 W /175MHz

· 10:1 Load VSWR Capability

· Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

I_D

2.5 A

65 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

(BR)DSS

DIM

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

V_DGR

65 V

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

V_GS

P_DISS

T_J

± 40 V

55 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

3.2 ^OC/W

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

T_STG

q_JC

.240 / 6.10

ORDER CODE: ASI10702

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

V_(BR)DSS

I_DSS

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 0 V

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_DS= 10 V

I_DS= 5.0 mA

---

2.0

1.0

6.0

---

V_GS= 0 V

---

m A

I_GSS

V_GS= 40 V

I_D= 25 mA

I_D= 250 mA

---

V_GS

1.0

250

G_FS

C_iss

C_oss

C_rss

V_GS= 28 V

V_DS= 0 V

F = 1.0 MHz

P_OUT= 15 W

3.0

P_G

V_DD= 28 V

I_DQ= 25 mA

h _D

F = 175 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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