生命周期: | Active | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 1.25 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | O-CRDB-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ASI10702 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10703 | ASI |
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N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET | |
ASI10704 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10705 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10707 | ASI |
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VHF POWER MOSFET Silicon N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10708 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10709 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10710 | ASI |
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VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
ASI10711 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | |
ASI10712 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |