ASI10684

更新时间： 2024-01-11 19:30:38

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10684 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	基于收集器的最大容量：	110 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10684 数据手册

ULBM35

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

The ASI ULBM35 is Designed for

2x ØN

FULL R

FEATURES:

.725/18,42

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

8.0 A

36 V

I_C

.150 / 3.43

.160 / 4.06

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

16 V

.125 / 3.18

4.0 V

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

117 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.5 ^OC/W

.120 / 3.05

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10684

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 15 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 12.5 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CES

4.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

---

C_ob

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

110

P_G

6.0

P_OUT= 35 W

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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