ASI10671

更新时间： 2024-01-31 14:12:09

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10671 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	9 A	基于收集器的最大容量：	50 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F6
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10671 数据手册

UHBS30-2

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI UHBS30-2 is Designed for

PACKAGE STYLE .230 6L FLG

FEATURES:

.040x45°

2XØ.130

4X .025 R

.115

.430

· Omnigold™ Metalization System

.125

MAXIMUM RATINGS

9.0 A

50 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

.355 / 9.02

.115 / 2.92

.075 / 1.91

.225 / 5.72

.090 / 2.29

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.355 / 9.02

.004 / 0.10

.120 / 3.05

.160 / 4.06

.230 / 5.84

.365 / 9.27

.125 / 3.18

.085 / 2.16

.235 / 5.97

.110 / 2.79

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.365 / 9.27

.006 / 0.15

.130 / 3.30

.180 / 4.57

.260 / 6.60

30 V

50 V

4.0 V

100 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.5 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10671

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

C_ob

V_CB= 24 V

V_CE= 24 V

f = 1.0 MHz

f = 960 GHz

P_G

7.0

P_OUT= 30 W

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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