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ASI10567

更新时间： 2024-02-14 11:54:19

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10567 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	28 A	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10567 数据手册

AVD400

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .400 2L FLG (A)

4x .062 x 45°

.040 x 45°

2xB

DESCRIPTION:

The ASI AVD400 is Designed for

2xR

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.135 / 3.43

.100 / 2.54

.050 / 1.27

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.145 / 3.68

.120 / 3.05

MAXIMUM RATINGS

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

28 A

I_C

.193 / 4.90

.100 / 2.54

55 V

V_CC

P_DISS

T_J

.490 / 12.45

.510 / 12.95

1000 W @ T_C£ 80 ^OC

-65 ^OC to +250 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.12 ^OC/W

.690 / 17.53

.890 / 22.61

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.710 / 18.03

.910 / 23.11

.006 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10567

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 15 mA

I_C= 50 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 50 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

P_G

6.5

V_CC= 50 V

MHz

P_OUT= 400 W

f = 1025 - 1150

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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