ASI10555

更新时间： 2024-02-29 14:14:10

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10555 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ASI10555 数据手册

AVD004P

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .280 4L PILL(A)

DESCRIPTION:

.100x45°

The ASI AVD004P is Designed for

FEATURES:

ØG

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

650 mA PEAK

32 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CB

P_DISS

T_J

.095 / 2.41

.195 / 4.95

1.000 / 25.40

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.105 / 2.67

.205 / 5.21

18 W PEAK

.007 / 0.18

.065 / 1.65

.145 / 3.68

.285 / 7.21

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

5.0 ^OC/W

.275 / 6.99

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10555

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1 mA

I_C= 5 mA

I_E= 1 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

1.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

300

P_G

9.0

V_CC= 28 V

MHz

P_OUT= 4.0 W

f = 1025 - 1150

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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