ASI10517

更新时间： 2024-02-15 21:07:25

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10517 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	2.3 A
基于收集器的最大容量：	7 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI10517 数据手册

ASAT10

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI ASAT10 is Designed for

PACKAGE STYLE .250 2L FLG(A)

.020 x 45°

Ø .130 NOM.

.050 x 45°

FEATURES:

· Input Matching Network

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

2.3 A

45 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.055 / 1.40

.065 / 1.65

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.124 / 3.15

.243 / 6.17

.635 / 16.13

.555 / 14.10

.739 / 18.77

.315 / 8.00

.002 / 0.05

.055 / 1.40

.075 / 1.91

.253 / 6.43

15 V

.665 / 16.89

.565 / 14.35

.749 / 19.02

.325 / 8.26

.006 / 0.15

.065 / 1.65

.095 / 2.41

.190 / 4.83

.255 / 6.48

3.5 V

29 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

6.0 ^OC/W

.245 / 6.22

.092 / 2.34

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10517

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 3.0 mA

I_E= 3.0 mA

V_CE= 5.0 V

3.5

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

I_C= 600 mA

P_OUT= 10 W

150

7.0

---

C_OB

V_CB= 28 V

V_CC= 28 V

f = 1.0 MHz

P_G

f = 1.65 GHz

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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