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ASDM60N170P

更新时间： 2024-11-21 17:15:47

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安森德 - ASDsemi		/
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7页	464K
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TO-220

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ASDM60N170P 数据手册

ASDM60N170P

60V N-Channel MOSFET

Product Summary

Features

• Super Low Gate Charge

V DS

• 100% EAS Guaranteed

R DS(on),MAX@ VGS=10 V

I D

4.8

170

mΩ

•

Green Device Available

Excellent CdV/dt effect decline

• Advanced high cell density Trench

technology

Application

• DC/DC Converters

• Power Management in Inverter System

TO-220

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

170

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V^1,6

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V¹

Pulsed Drain Current²

107

150

120

340

EAS

Single Pulse Avalanche Energy³

245

I_AS

Avalanche Current

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation⁴

260

℃

2.02

Storage Temperature Range

-55 to 150

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

R_θJA

Parameter

Typ.

---

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance Junction-Ambient ¹

Thermal Resistance Junction-Case¹

R_θJC

---

0.48

Ascend Semicondutor Co.,Ltd

MAY 2019 Version1.1

1/7

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