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ASDM30C25E

更新时间： 2024-10-03 17:15:39

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	1591K
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ASDM30C25E 数据手册

ASDM30C25E

30V N&P-Channel MOSFET

Features

Product Summary

● N+P Channel

● Enhancement mode

● Low on-resistance

● Switching and High efficiency

V DS

-30

R DS(on),TYP@ VGS=±10 V

R DS(on),TYP@ VGS=±4.5V

I D

mΩ

● Pb-free lead plating; RoHS compliant

Application

-24

● High battery density grooved N+P

dual channel MOSFET

● Synchronous step-down converter

applications

● Excellent RDSON and gate charge

DFN3.3*3.3-8

Maximum ratings, at TA =25°C, unless otherwise specified

Rating

Symbol

Parameter

Unit

NMOS

PMOS

-30

Drain-Source breakdown voltage

(BR)DSS

VGS

Gate-Source voltage

±2 0

=25°C

I_S

T_C

Diode continuous forward current

-24

=25°C

T_C

-24

-15

I_D

Continuous drain current @VGS=±10V

Pulse drain current tested ①

=100°C

=25°C

I_DM

100

-96

-9

T_A=25°C

T_A=70°C

I_DSM

Continuous drain current @VGS=±10V

-7

EAS

2.8

°C

Avalanche energy, single pulsed ②

Maximum power dissipation

=25°C

T_C

P_DSM

T_A=25°C

Maximum power dissipation ③

Storage and junction temperature range

T_J

T_STG

-55 to 150 -55 to 150

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Typical

Unit

°C/W

R_JC

R_JA

6.2

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/10

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