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ASDM3010S

更新时间： 2024-10-03 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		/
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SOP-8

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ASDM3010S 数据手册

ASDM3010S

30V Dual N-Channel MOSFET

Features

●

Dual N-Channel,5V Logic Level Control

●

Enhancement mode

Product Summary

●

Fast Switching

●

High Effective

VDS

mΩ

RDS(on),max.@VGS=10V

$SSOLFDWLRQV

●

Power Management in Inverter System

●

Synchronous Rectification

top view

ASCEND

SOP-8

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source breakdown voltage

(BR)DSS

=25°C

I_S

T_A

Diode continuous forward current

Continuous drain current @VGS=10V

=25°C

T_A

I_D

=70°C

5.0

=25°C

I_DM

T_A

Pulse drain current tested ①

Avalanche energy, single pulsed ②

Maximum power dissipation

Gate-Source voltage

EAS

P_D

T_A

2.5

VGS

MSL

T_STG

±20

Level 3

-55 to 150

Storage temperature range

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typical

Unit

°C/W

R_θJL

R_θJA

Thermal Resistance-Junction to Lead

Thermal Resistance-Junction to Ambient

°C/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

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