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ASDM150R090NKQ PDF预览

ASDM150R090NKQ

更新时间: 2024-11-18 17:15:39
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安森德 - ASDsemi /
页数 文件大小 规格书
9页 539K
描述
TO-252

ASDM150R090NKQ 数据手册

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Q
ASDM150R090NK  
150V N-Channel MOSFET  
Features  
Product Summary  
•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS3ꢀtechnology  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀRDS(on)  
•ꢀExcellentꢀQgxRDS(on)ꢀproduct(FOM)  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria  
Applications  
V
DS  
150  
7.9  
75  
V
m  
A
R DS(on),Typ@ VGS=10 V  
I D  
•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger  
•ꢀBatteryꢀmanagement  
•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)  
Schematic diagram  
TO-252-2L top view  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
Drainꢁsourceꢀvoltage  
150  
V
Continuousꢀdrainꢀcurrent  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
ID  
A
75  
54  
Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTjmax  
)
IDꢀpulse  
EAS  
300  
225  
A
mJ  
V
Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(Ias=30A,ꢀRg=25)  
GateꢁSourceꢀvoltage  
VGS  
±20  
Powerꢀdissipationꢀ(TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ)  
Ptot  
128  
W
°C  
Tjꢀ,ꢀT stg  
Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature  
ꢁ55...+150  
Solderingꢀtemperature,ꢀwaveꢀsolderingꢀonlyꢀallowedꢀatꢀleads  
(1.6mmꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10s)  
Tsold  
260  
°C  
Thermal Resistance  
Value  
Parameter  
Symbol  
RthJC  
Unit  
TestꢀCondition  
min.  
typ.  
ꢀ1.7  
max.  
ꢀꢀꢁ  
Thermalꢀresistance,  
junctionꢀ–ꢀcase.  
°C/W  
Thermalꢀresistance,  
junctionꢀꢁꢀambient(min.  
footprint)  
RthJA  
ꢁꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ54.5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢁ  
ꢀꢀ°C/W  
NOV 2020 Version1.0  
1/9  
Ascend Semicondutor Co.,Ltd  

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XO, Clock, 1MHz Min, 150MHz Max, 60MHz Nom, CMOS,
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CMOS Output Clock Oscillator,
ASDM1-64.000MHZ-LC-T ABRACON

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CMOS Output Clock Oscillator, 64MHz Nom, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINIATURE, PLASTIC, QFN-4
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