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AS7C3513B-10JC

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
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ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 218K
描述
3.3V 32K x 16 CMOS SRAM

AS7C3513B-10JC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82最长访问时间:10 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.415 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS7C3513B-10JC 数据手册

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March 2004  
AS7C3513B  
®
3.3V 32K×16 CMOS SRAM  
Features  
• Industrial and commercial temperature  
• Organization: 32,768 words × 16 bits  
• Center power and ground pins  
• High speed  
• Easy memory expansion with CE, OE inputs  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• 44-pin JEDEC standard package  
• 400 mil SOJ  
• 10/12/15/20 ns address access time  
• 5, 6, 7, 8 ns output enable access time  
• Low power consumption: ACTIVE  
• 288 mW / max @ 10 ns  
• 400 mil TSOP 2  
• ESD protection > 2000 volts  
• Latch-up current > 200 mA  
• Low power consumption: STANDBY  
• 18 mW / max CMOS  
• 6T 0.18m CMOS Technology  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
A0  
A1  
A2  
44-Pin SOJ, TSOP 2 (400 mil)  
V
CC  
32K × 16  
Array  
GND  
NC  
A3  
A2  
A1  
A0  
CE  
1
2
3
4
5
6
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A5  
A6  
OE  
UB  
LB  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
I/O0  
7
8
9
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O0–I/O7  
I/O8–I/O15  
I/O  
buffer  
Control circuit  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
V
CC  
GND  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
WE  
A14  
A13  
A12  
A11  
NC  
V
CC  
Column decoder  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
A7  
A8  
A9  
A10  
NC  
WE  
UB  
OE  
LB  
CE  
Selection guide  
-10  
10  
5
-12  
-15  
-20  
20  
8
Unit  
ns  
Maximum address access time  
12  
6
15  
7
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
ns  
80  
5
75  
5
70  
5
65  
5
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
3/24/04, v.1.2  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 10  
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